本報(bào)記者 任世碧

    7月4日，第三代半導(dǎo)體板塊表現(xiàn)亮眼，截至午盤，其整體漲2.8%，跑贏上證指數(shù)（漲0.07%）。其中，光智科技、斯達(dá)半導(dǎo)漲停，銘普光磁、新潔能、臺(tái)基股份、時(shí)代電氣、天準(zhǔn)科技、芯導(dǎo)科技等個(gè)股漲幅均超6%。

    市場資金涌入第三代半導(dǎo)體板塊搶籌。截至午盤，第三代半導(dǎo)體板塊呈現(xiàn)資金凈買入態(tài)勢(shì)，合計(jì)吸金8.71億元。其中，斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技、揚(yáng)杰科技、銘普光磁、三安光電、士蘭微等6只概念股大單資金凈買入額均超5000萬元。

    7月4日上午大單資金凈買入額超千萬元的第三代半導(dǎo)體概念股

    制表：任世碧

    消息面上，7月3日，商務(wù)部、海關(guān)總署發(fā)布《關(guān)于對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告》。公告顯示，根據(jù)《中華人民共和國出口管制法》《中華人民共和國對(duì)外貿(mào)易法》《中華人民共和國海關(guān)法》有關(guān)規(guī)定，為維護(hù)國家安全和利益，經(jīng)國務(wù)院批準(zhǔn)，決定對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制。公告將自2023年8月1日起正式實(shí)施。

    對(duì)此，接受《證券日?qǐng)?bào)》記者采訪的排排網(wǎng)財(cái)富研究員卜益力表示，鎵、鍺屬于稀缺戰(zhàn)略資源，用途比較廣泛，其中鎵是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料之一，而且我國又是全球鎵產(chǎn)量大國，美國一半以上的進(jìn)口需求來自于中國，因此出口管制一定程度上利好我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。長期看，看好第三代半導(dǎo)體在國家政策以及市場需求的積極推動(dòng)下的發(fā)展前景。半導(dǎo)體自主可控背景下，疊加第三代半導(dǎo)體已經(jīng)具備技術(shù)突破的同時(shí)，在產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展上也奠定了基礎(chǔ)，有望助力我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入到加速增長期。

    第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。鎵被稱作“半導(dǎo)體工業(yè)新糧食”，可以在集成電路、LED和光伏板中使用，砷化鎵、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體結(jié)合了多種元素，可幫助提高電視/手機(jī)屏幕、光伏電池板和雷達(dá)的傳輸速度和效率。數(shù)據(jù)顯示，全球探明的金屬鎵儲(chǔ)量僅27.93萬噸，中國擁有19萬噸，占比在68%左右。而從產(chǎn)量來說，美國地質(zhì)調(diào)查局?jǐn)?shù)據(jù)顯示，哈薩克斯坦、匈牙利、德國、烏克蘭等產(chǎn)國已相繼停止鎵生產(chǎn)，我國在全球鎵產(chǎn)量占比持續(xù)提升，截至2021年，占比已超90%。

    鎵系相關(guān)產(chǎn)品中，氮化鎵（GaN）是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料之一。浙商證券表示，氮化鎵（GaN）禁帶寬度達(dá)到3.4eV。更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更優(yōu)的抗輻照能力，使得其在功率器件、射頻器件、光電器件領(lǐng)域大有作為。隨著5G通信、消費(fèi)電子、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等高景氣度下游逐步提出更高性能要求，有望放量提價(jià)。

    鍺也是優(yōu)良半導(dǎo)體，可作高頻率電流的檢波和交流電的整流用，被多國列入戰(zhàn)略儲(chǔ)備物資的重要資源，在半導(dǎo)體、航空航天測(cè)控、核物理探測(cè)、光纖通訊、紅外光學(xué)、太陽能電池、化學(xué)催化劑、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域都有廣泛而重要的應(yīng)用。其中，鍺在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用具體體現(xiàn)在聚光電池與硅鍺薄膜電池中，主要是用作砷化鎵太陽能電池的襯底材料。據(jù)美國地質(zhì)調(diào)查局?jǐn)?shù)據(jù)，全球鍺資源中國占比41%，美國占比45%；全球鍺供給中，中國占比68%，俄羅斯占比5%。

    日前，在浙江瑞安召開的2023國際新能源智能網(wǎng)聯(lián)汽車創(chuàng)新生態(tài)大會(huì)上，中國工程院院士丁榮軍表示，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)（包括Si-IGBT與SiC二極管相結(jié)合的技術(shù)）已經(jīng)開始獲得應(yīng)用，并具有很大的性能及市場潛力，將在未來十年獲得高達(dá)年復(fù)合20%以上的快速增長。

    止于至善投資基金經(jīng)理孫嘉寶對(duì)記者表示，此次對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制，對(duì)于國內(nèi)第三代半導(dǎo)體公司是利好。目前，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)都呈現(xiàn)快速發(fā)展?fàn)顟B(tài)，襯底、外延及芯片產(chǎn)能加速擴(kuò)張，成本持續(xù)降低，國內(nèi)外主流廠家都制定了積極進(jìn)取的市場策略。而中國擁有第三代半導(dǎo)體最大的應(yīng)用市場，在新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、5G、消費(fèi)電子等強(qiáng)勁帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)未來幾年我國第三代半導(dǎo)體將繼續(xù)保持高速增長，可以關(guān)注碳化硅及氮化鎵等材料產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)會(huì)。

（編輯 才山丹 策劃 張穎）